電子元器材（含主被迫器材）在制作、運送、倉儲、應用端出產(chǎn)、作業(yè)過程中都有可能呈現(xiàn)不良。為了找出真正原因，相關(guān)工程人員要對失效樣品進行剖析

元器材的失效直承受濕度、溫度、電壓、機械等要素的影響。以下我們來逐個剖析導致元器材失效的要素有哪些：
溫度導致失效

環(huán)境溫度是導致元件失效的重要要素。構(gòu)成雙極型半導體器材的根本單元P-N結(jié)對溫度的改變很靈敏，當P-N結(jié)反向偏置時，由少量載流子構(gòu)成的反向漏電流受溫度的改變影響，其聯(lián)系為：

式中：
ICQ――溫度T0C時的反向漏電流
ICQR――溫度TR℃時的反向漏電流
T－TR――溫度改變的絕對值

由上式能夠看出，溫度每升高10℃，ICQ將添加一倍。這將形成晶體管放大器的作業(yè)點發(fā)作漂移、晶體管電流放大系數(shù)發(fā)作改變、特性曲線發(fā)作改變，動態(tài)規(guī)模變小。

溫度與答應功耗的聯(lián)系如下：

式中：
PCM―――最大答應功耗
TjM―――最高答應結(jié)溫
T―――運用環(huán)境溫度
RT―――熱阻

由上式能夠看出，溫度的升高將使晶體管的最大答應功耗下降。

因為P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大，所以用P-N為根本單元構(gòu)成的雙極型半導體邏輯元件（TTL、HTL等集成電路）的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密切的聯(lián)系。

當溫度升高時，P-N結(jié)的正向壓降減小，其開門和關(guān)門電平都將減小，這就使得元件的低電平抗干擾電壓容限隨溫度的升高而變?。桓唠娖娇垢蓴_電壓容限隨溫度的升高而增大，形成輸出電平偏移、波形失真、穩(wěn)態(tài)失調(diào)，乃至熱擊穿。

溫度改變對電阻的影響

溫度改變對電阻的影響主要是溫度升高時，電阻的熱噪聲添加，阻值違背標稱值，答應耗散概率下降等。比方，RXT系列的碳膜電阻在溫度升高到100℃時，答應的耗散概率僅為標稱值的20％。

但我們也能夠使用電阻的這一特性，比方，有經(jīng)過特別規(guī)劃的一類電阻：PTC（正溫度系數(shù)熱敏電阻）和NTC（負溫度系數(shù)熱敏電阻），它們的阻值受溫度的影響很大。

關(guān)于PTC，當其溫度升高到某一閾值時，其電阻值會急劇增大。使用這一特性，可將其用在電路板的過流維護電路中，當因為某種毛病形成經(jīng)過它的電流添加到其閾值電流后，PTC的溫度急劇升高，一起，其電阻值變大，限制經(jīng)過它的電流，到達對電路的維護。而毛病掃除后，經(jīng)過它的電流減小，PTC的溫度康復正常，一起，其電阻值也康復到其正常值。關(guān)于NTC，它的特點是其電阻值隨溫度的升高而減小。

溫度改變對電容的影響

溫度改變將引起電容的到介質(zhì)損耗改變，然后影響其運用壽數(shù)。溫度每升高10℃時，電容器的壽數(shù)就下降50％，一起還引起阻容時間常數(shù)改變，乃至發(fā)作因介質(zhì)損耗過大而熱擊穿的狀況。

此外，溫度升高也將使電感線圈、變壓器、扼流圈等的絕緣功能下降。

濕度導致失效

濕度過高，當含有酸堿性的塵埃落到電路板上時，將腐蝕元器材的焊點與接線處，形成焊點掉落，接頭開裂。此外濕度過高也是引起漏電耦合的主要原因。但濕度過低又容易發(fā)作靜電，所以環(huán)境的濕度應控制在合理的水平。

過高電壓導致器材失效

施加在元器材上的電壓穩(wěn)定性是確保元器材正常作業(yè)的重要條件。過高的電壓會添加元器材的熱損耗，乃至形成電擊穿。關(guān)于電容器而言，其失功率正比于電容電壓的5次冪。關(guān)于集成電路而言，超越其最大答應電壓值的電壓將形成器材的直接損壞。

電壓擊穿是指電子器材都有能承受的最高耐壓值，超越該答應值，器材存在失效危險。自動元件和被迫元件失效的表現(xiàn)形式稍有不同，但也都有電壓答應上限。晶體管元件都有耐壓值，超越耐壓值會對元件有危害，比方超越二極管、電容等，電壓超越元件的耐壓值會導致它們擊穿，如果能量很大會導致熱擊穿，元件會報廢。

振蕩、沖擊影響

機械振蕩與沖擊會使一些內(nèi)部有缺點的元件加快失效，形成災難性毛病，機械振蕩還會使焊點、壓線點發(fā)作松動，導致接觸不良；若振蕩導致導線不應有的碰連，會發(fā)作一些意想不到的結(jié)果。可能引起的毛病形式及失效剖析：

電氣過應力（Electrical OverStress，EOS）是一種常見的危害電子器材的方法，是元器材常見的損壞原因，其表現(xiàn)方法是過壓或許過流發(fā)作很多的熱能，使元器材內(nèi)部溫度過高而損壞元器材（我們常說的燒壞），是由電氣系統(tǒng)中的脈沖導致的一種常見的危害電子器材的方法。